IRFAE50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFAE50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFAE50

IRFAE50 Datasheet (PDF)

..1. Size:154K international rectifier
irfae50.pdf

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9.1. Size:146K international rectifier
irfae30.pdf

PD - 90614REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFAE30800V, N-CHANNELHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFAE30 800V 3.2 3.1The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art desig

9.2. Size:148K international rectifier
irfae40.pdf

PD - 90579REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFAE40800V, N-CHANNELHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFAE40 800V 2.0 4.8The HEXFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art de

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