IRFAG30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFAG30
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de IRFAG30 MOSFET
IRFAG30 Datasheet (PDF)
irfag30.pdf

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PD -90575REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFAG401000V, N-CHANNELHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFAG40 1000V 3.5 3.9The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art desi
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History: NCEP038N10GU | IRFB7434PBF | MTB080N15J3
History: NCEP038N10GU | IRFB7434PBF | MTB080N15J3



Liste
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