IRFAG30 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFAG30  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.6 Ohm

Encapsulados: TO3

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IRFAG30 datasheet

 ..1. Size:146K  international rectifier
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IRFAG30

PD -90622 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFAG30 1000V, N-CHANNEL HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFAG30 1000V 5.6 2.3 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art desi

 9.1. Size:150K  international rectifier
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IRFAG30

PD - 90582 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFAG50 1000V, N-CHANNEL HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFAG50 1000V 2.0 5.6 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art des

 9.2. Size:146K  international rectifier
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IRFAG30

PD -90575 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFAG40 1000V, N-CHANNEL HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFAG40 1000V 3.5 3.9 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art desi

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