SSM5G09TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM5G09TU
   Código: KEP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: 2-2R1A

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSM5G09TU

SSM5G09TU Datasheet (PDF)

..1. Size:306K toshiba
ssm5g09tu.pdf

SSM5G09TU Silicon P Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5G09TU DC-DC Converter Unit: mm Combined Pch MOSFET and Schottky Diode into one Package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS -12 VGate-Source voltage VGSS 8 VDC ID -1.5 Drain curre

8.1. Size:218K toshiba
ssm5g02tu.pdf

SSM5G02TU Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5G02TU DC-DC Converter Unit: mm Combined Pch MOSFET and Schottky Diode into one Package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS -12 VGate-Source voltage VGSS 12 VDC ID -1.0 Drain curre

8.2. Size:290K toshiba
ssm5g06fe.pdf

SSM5G06FE Silicon P-Channel MOS Type / Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5G06FE DC-DC Converter Applications Unit: mm Combined a P-channel MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. 1.60.05 Optimum for high-density mounting in small packages 1.20.05Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET 1 5Characteristics Symbol Rating Unit2Drain-So

8.3. Size:205K toshiba
ssm5g04tu.pdf

SSM5G04TU Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5G04TU DC-DC Converter Unit: mm Combined Pch MOSFET and Schottky Diode into one Package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS -12 VGate-Source voltage VGSS 12 VDC ID -1.0 Drain curre

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: