SSM5G09TU
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSM5G09TU
Маркировка: KEP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 1.5
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Cossⓘ - Выходная емкость: 170
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13
Ohm
Тип корпуса: 2-2R1A
Аналог (замена) для SSM5G09TU
SSM5G09TU
Datasheet (PDF)
..1. Size:306K toshiba
ssm5g09tu.pdf 
SSM5G09TU Silicon P Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5G09TU DC-DC Converter Unit: mm Combined Pch MOSFET and Schottky Diode into one Package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS -12 VGate-Source voltage VGSS 8 VDC ID -1.5 Drain curre
8.1. Size:218K toshiba
ssm5g02tu.pdf 
SSM5G02TU Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5G02TU DC-DC Converter Unit: mm Combined Pch MOSFET and Schottky Diode into one Package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS -12 VGate-Source voltage VGSS 12 VDC ID -1.0 Drain curre
8.2. Size:290K toshiba
ssm5g06fe.pdf 
SSM5G06FE Silicon P-Channel MOS Type / Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5G06FE DC-DC Converter Applications Unit: mm Combined a P-channel MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. 1.60.05 Optimum for high-density mounting in small packages 1.20.05Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET 1 5Characteristics Symbol Rating Unit2Drain-So
8.3. Size:205K toshiba
ssm5g04tu.pdf 
SSM5G04TU Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5G04TU DC-DC Converter Unit: mm Combined Pch MOSFET and Schottky Diode into one Package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS -12 VGate-Source voltage VGSS 12 VDC ID -1.0 Drain curre
Другие MOSFET... FMM50-025TF
, FMM60-02TF
, FMM75-01F
, FMP26-02P
, FMP36-015P
, FMP76-01T
, GMM3x100-01X1-SMD
, FDMS0306AS
, RFP50N06
, FDMS0300S
, GMM3x160-0055X2-SMD
, FDMC7200S
, GMM3x180-004X2-SMD
, FDMC7200
, GMM3x60-015X2-SMD
, FDMC0310AS
, GWM100-0085X1-SL
.
