SSM5H11TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM5H11TU
   Código: KEU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.1 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.122 Ohm
   Paquete / Cubierta: 2-2R1A

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSM5H11TU

SSM5H11TU Datasheet (PDF)

..1. Size:220K toshiba
ssm5h11tu.pdf

SSM5H11TU Silicon N Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H11TU DC-DC Converter Applications 4.0-V driveUnit: mm Combined an N-ch MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. Low RDS(ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings MOSFET (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDSS 30 VGate-source

8.1. Size:201K toshiba
ssm5h12tu.pdf

SSM5H12TU Silicon N Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H12TU DC-DC Converter Applications 1.8-V driveUnit: mm Combined an N-ch MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings MOSFET (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDSS 30 VGate-source

8.2. Size:230K toshiba
ssm5h10tu.pdf

SSM5H10TU Silicon N Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H10TU DC-DC Converter Applications 1.5-V drive Unit: mm Combined an N-ch MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings MOSFET (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDSS 20 VGate-sourc

8.3. Size:192K toshiba
ssm5h16tu.pdf

SSM5H16TU Silicon N Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H16TU DC-DC Converter Applications 1.8-V driveUnit: mm Combined an N-ch MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings MOSFET (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDSS 30 VGate-sourc

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: