SSM5H11TU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSM5H11TU
Маркировка: KEU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.1 nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.122 Ohm
Тип корпуса: 2-2R1A
SSM5H11TU Datasheet (PDF)
ssm5h11tu.pdf
SSM5H11TU Silicon N Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H11TU DC-DC Converter Applications 4.0-V driveUnit: mm Combined an N-ch MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. Low RDS(ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings MOSFET (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDSS 30 VGate-source
ssm5h12tu.pdf
SSM5H12TU Silicon N Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H12TU DC-DC Converter Applications 1.8-V driveUnit: mm Combined an N-ch MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings MOSFET (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDSS 30 VGate-source
ssm5h10tu.pdf
SSM5H10TU Silicon N Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H10TU DC-DC Converter Applications 1.5-V drive Unit: mm Combined an N-ch MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings MOSFET (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDSS 20 VGate-sourc
ssm5h16tu.pdf
SSM5H16TU Silicon N Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H16TU DC-DC Converter Applications 1.8-V driveUnit: mm Combined an N-ch MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings MOSFET (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDSS 30 VGate-sourc
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F