SSM60T03GJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM60T03GJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 44 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 45 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 11.6 nC
   Tiempo de subida (tr): 57.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSM60T03GJ

SSM60T03GJ Datasheet (PDF)

..1. Size:617K silicon standard
ssm60t03gh ssm60t03gj.pdf

SSM60T03GH,JN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM60T03 acheives fast switching performanceBVDSS 30Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It isRDS(ON) 12msuitable for low voltage applications such as DC/DCconverters and general load-switching circuits.I 45AD The SSM60T03GH is in a TO-252 package, which isPb-free; RoHS

5.1. Size:385K silicon standard
ssm60t03gp ssm60t03gs.pdf

SSM60T03GP,SN-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BVDSS 30VDSimple drive requirement RDS(ON) 12mFast switching ID 45AGPb-free, RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM60T03GS is in a TO-263 package, which is widely used forDScommercial and industrial surface-mount applications. This device is TO-263 (S)suitable for low-voltage applications such as DC

6.1. Size:310K silicon standard
ssm60t03h ssm60t03j.pdf