Справочник MOSFET. SSM60T03GJ

 

SSM60T03GJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM60T03GJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 57.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM60T03GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:617K  silicon standard
 ssm60t03gh ssm60t03gj.pdf pdf_icon

SSM60T03GJ

SSM60T03GH,JN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM60T03 acheives fast switching performanceBVDSS 30Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It isRDS(ON) 12msuitable for low voltage applications such as DC/DCconverters and general load-switching circuits.I 45AD The SSM60T03GH is in a TO-252 package, which isPb-free; RoHS

 5.1. Size:385K  silicon standard
 ssm60t03gp ssm60t03gs.pdf pdf_icon

SSM60T03GJ

SSM60T03GP,SN-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BVDSS 30VDSimple drive requirement RDS(ON) 12mFast switching ID 45AGPb-free, RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM60T03GS is in a TO-263 package, which is widely used forDScommercial and industrial surface-mount applications. This device is TO-263 (S)suitable for low-voltage applications such as DC

 6.1. Size:310K  silicon standard
 ssm60t03h ssm60t03j.pdf pdf_icon

SSM60T03GJ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: PSMN070-200B | SPD04N60C3 | PNMET20V06E | FDC654P | 2SK1501 | HY1403V | OSG55R074HSZF

 

 
Back to Top

 


 
.