Справочник MOSFET. SSM60T03GJ

 

SSM60T03GJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSM60T03GJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 11.6 nC
   Время нарастания (tr): 57.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 200 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-251

 Аналог (замена) для SSM60T03GJ

 

 

SSM60T03GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:617K  silicon standard
 ssm60t03gh ssm60t03gj.pdf

SSM60T03GJ SSM60T03GJ

SSM60T03GH,JN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM60T03 acheives fast switching performanceBVDSS 30Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It isRDS(ON) 12msuitable for low voltage applications such as DC/DCconverters and general load-switching circuits.I 45AD The SSM60T03GH is in a TO-252 package, which isPb-free; RoHS

 5.1. Size:385K  silicon standard
 ssm60t03gp ssm60t03gs.pdf

SSM60T03GJ SSM60T03GJ

SSM60T03GP,SN-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BVDSS 30VDSimple drive requirement RDS(ON) 12mFast switching ID 45AGPb-free, RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM60T03GS is in a TO-263 package, which is widely used forDScommercial and industrial surface-mount applications. This device is TO-263 (S)suitable for low-voltage applications such as DC

 6.1. Size:310K  silicon standard
 ssm60t03h ssm60t03j.pdf

SSM60T03GJ SSM60T03GJ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top