SSM6618M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM6618M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 8.4 nC
   Tiempo de subida (tr): 5.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSM6618M

SSM6618M Datasheet (PDF)

..1. Size:148K silicon standard
ssm6618m.pdf

SSM6618MN-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETLow on-resistance BV 25VDSSDDFast switching speed D RDS(ON) 30mDSurface-mount package ID 7AGSSSO-8SDescriptionDPower MOSFETs from Silicon Standard provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, ultra low on-resistance andGcost-effectiveness.SAbsolute Maximum R

9.1. Size:593K silicon standard
ssm6680gm.pdf

SSM6680GMN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM6680GM acheives fast switching performanceBVDSS 30Vwith low gate charge without a complex drive circuit. ItRDS(ON) 11mis suitable for low voltage applications such as DC/DCconverters and general load-switching circuits.I 11.5AD The SSM6680M is supplied in an RoHS-compliantPb-free; RoHS-c

9.2. Size:194K silicon standard
ssm6679gm.pdf

SSM6679GMP-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY DDBVDSS -30VSimple Drive Requirement DDLow On-resistance RDS(ON) 9mGFast Switching Characteristic ID -14ASSSO-8SDESCRIPTION The advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. Dprovide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resist

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Liste

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