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IRLMS6802 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLMS6802

Código: 2E_E*

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.2 V

Carga de compuerta (Qg): 11 nC

Tiempo de elevación (tr): 33 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 220 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.05 Ohm

Empaquetado / Estuche: MICRO6

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IRLMS6802 Datasheet (PDF)

1.1. irlms6802pbf.pdf Size:148K _upd

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1.2. irlms6802.pdf Size:91K _upd

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PD- 91848E IRLMS6802 HEXFET® Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance A 1 6 l P-Channel MOSFET D D VDSS = -20V l Surface Mount 2 5 D D l Available in Tape & Reel 3 4 G S RDS(on) = 0.050Ω Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit prov

 1.3. irlms6802.pdf Size:85K _international_rectifier

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PD- 91848D IRLMS6802 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance A 1 6 P-Channel MOSFET D D VDSS = -20V Surface Mount 2 5 D D Available in Tape & Reel 3 4 G S RDS(on) = 0.050? Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the d

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