SSM6923O Todos los transistores

 

SSM6923O MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM6923O
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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SSM6923O Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  silicon standard
 ssm6923o.pdf pdf_icon

SSM6923O

SSM6923OP-CHANNEL POWER MOSFET WITH SCHOTTKY DIODEP-channel MOSFETLow on-resistance A BVDSS -20VAAKFast switching characteristics RDS(ON) @ 4.5V 50mGSSurface-mount package I -3.5AS DTSSOP-8DSchottky DiodeVKA 20VVf @ 0.5V 1ADescriptionIF 1.5APower MOSFETs from Silicon Standard provide thedesigner with the best combination of fast switching,DArugge

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History: IPI60R250CP | ME50N10 | NTHL080N120SC1 | NTHL080N120SC1A | CEP15P15 | CEP05P03

 

 
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