SSM6923O Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM6923O  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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SSM6923O datasheet

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SSM6923O

SSM6923O P-CHANNEL POWER MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE P-channel MOSFET Low on-resistance A BVDSS -20V A A K Fast switching characteristics RDS(ON) @ 4.5V 50m G S Surface-mount package I -3.5A S D TSSOP-8 D Schottky Diode VKA 20V Vf @ 0.5V 1A Description IF 1.5A Power MOSFETs from Silicon Standard provide the designer with the best combination of fast switching, D A rugge

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