SSM6923O datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM6923O  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM6923O

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM6923O даташит

 ..1. Size:296K  silicon standard
 ssm6923o.pdf pdf_icon

SSM6923O

SSM6923O P-CHANNEL POWER MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE P-channel MOSFET Low on-resistance A BVDSS -20V A A K Fast switching characteristics RDS(ON) @ 4.5V 50m G S Surface-mount package I -3.5A S D TSSOP-8 D Schottky Diode VKA 20V Vf @ 0.5V 1A Description IF 1.5A Power MOSFETs from Silicon Standard provide the designer with the best combination of fast switching, D A rugge

Другие IGBT... SSM60T03GH, SSM60T03GJ, SSM60T03GP, SSM60T03GS, SSM630GP, SSM6618M, SSM6679GM, SSM6680GM, IRF1404, SSM6G18NU, SSM6H19NU, SSM6J216FE, SSM6J414TU, SSM6J505NU, SSM6J507NU, SSM6J512NU, SSM6J771G