SSM85T03GH Todos los transistores

 

SSM85T03GH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM85T03GH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SSM85T03GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  silicon standard
 ssm85t03gh ssm85t03gj.pdf pdf_icon

SSM85T03GH

SSM85T03GH,JN-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BVDSS 30VDSimple drive requirement R 6mDS(ON) Fast switching ID 75AGPb-free; RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM85T03GH is in a TO-252 package, which is widely used for DSTO-252 (H)commercial and industrial surface mount applications, and is well suitedfor low voltage applications such as DC/DC

 7.1. Size:180K  silicon standard
 ssm85t08gp.pdf pdf_icon

SSM85T03GH

SSM85T08GPN-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY DBVDSS 80VSimple Drive Requirement RDS(ON) 13mLow On-resistance Fast Switching Characteristic ID 75AGSDESCRIPTION The Advanced Power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiven

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History: RF1S40N10SM | HYG050N13NS1B6 | BF1201R

 

 
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