SSM85T08GP Todos los transistores

 

SSM85T08GP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM85T08GP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 670 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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SSM85T08GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  silicon standard
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SSM85T08GP

SSM85T08GPN-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY DBVDSS 80VSimple Drive Requirement RDS(ON) 13mLow On-resistance Fast Switching Characteristic ID 75AGSDESCRIPTION The Advanced Power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiven

 7.1. Size:287K  silicon standard
 ssm85t03gh ssm85t03gj.pdf pdf_icon

SSM85T08GP

SSM85T03GH,JN-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BVDSS 30VDSimple drive requirement R 6mDS(ON) Fast switching ID 75AGPb-free; RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM85T03GH is in a TO-252 package, which is widely used for DSTO-252 (H)commercial and industrial surface mount applications, and is well suitedfor low voltage applications such as DC/DC

Otros transistores... SSM70T03GH , SSM70T03GJ , SSM72T02GH , SSM75T10GP , SSM75T10GS , SSM7811GM , SSM85T03GH , SSM85T03GJ , IRF9540N , SSM90T03GH , SSM90T03GJ , SSM90T03GP , SSM90T03GS , SSM9406GM , SSM9408GH , SSM9410GM , SSM9435GH .

History: STN2NE10 | SM8A04NSF | FMH23N60E | FQB1P50TM | FQB27P06TM

 

 
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