Справочник MOSFET. SSM85T08GP

 

SSM85T08GP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM85T08GP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для SSM85T08GP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM85T08GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  silicon standard
 ssm85t08gp.pdf pdf_icon

SSM85T08GP

SSM85T08GPN-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY DBVDSS 80VSimple Drive Requirement RDS(ON) 13mLow On-resistance Fast Switching Characteristic ID 75AGSDESCRIPTION The Advanced Power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiven

 7.1. Size:287K  silicon standard
 ssm85t03gh ssm85t03gj.pdf pdf_icon

SSM85T08GP

SSM85T03GH,JN-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BVDSS 30VDSimple drive requirement R 6mDS(ON) Fast switching ID 75AGPb-free; RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM85T03GH is in a TO-252 package, which is widely used for DSTO-252 (H)commercial and industrial surface mount applications, and is well suitedfor low voltage applications such as DC/DC

Другие MOSFET... SSM70T03GH , SSM70T03GJ , SSM72T02GH , SSM75T10GP , SSM75T10GS , SSM7811GM , SSM85T03GH , SSM85T03GJ , AON7410 , SSM90T03GH , SSM90T03GJ , SSM90T03GP , SSM90T03GS , SSM9406GM , SSM9408GH , SSM9410GM , SSM9435GH .

History: 2SK741 | IRFR3412PBF | HRLU1B8N10K

 

 
Back to Top

 


 
.