SSM85T08GP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM85T08GP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM85T08GP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM85T08GP даташит

 ..1. Size:180K  silicon standard
 ssm85t08gp.pdf pdf_icon

SSM85T08GP

SSM85T08GP N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY D BVDSS 80V Simple Drive Requirement RDS(ON) 13m Low On-resistance Fast Switching Characteristic ID 75A G S DESCRIPTION The Advanced Power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiven

 7.1. Size:287K  silicon standard
 ssm85t03gh ssm85t03gj.pdf pdf_icon

SSM85T08GP

SSM85T03GH,J N-channel Enhancement-mode Power MOSFET Low gate-charge BVDSS 30V D Simple drive requirement R 6m DS(ON) Fast switching ID 75A G Pb-free; RoHS compliant. S DESCRIPTION G The SSM85T03GH is in a TO-252 package, which is widely used for D S TO-252 (H) commercial and industrial surface mount applications, and is well suited for low voltage applications such as DC/DC

Другие IGBT... SSM70T03GH, SSM70T03GJ, SSM72T02GH, SSM75T10GP, SSM75T10GS, SSM7811GM, SSM85T03GH, SSM85T03GJ, SPP20N60C3, SSM90T03GH, SSM90T03GJ, SSM90T03GP, SSM90T03GS, SSM9406GM, SSM9408GH, SSM9410GM, SSM9435GH