Справочник MOSFET. SSM85T08GP

 

SSM85T08GP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSM85T08GP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 63 nC
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для SSM85T08GP

 

 

SSM85T08GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  silicon standard
 ssm85t08gp.pdf

SSM85T08GP SSM85T08GP

SSM85T08GPN-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY DBVDSS 80VSimple Drive Requirement RDS(ON) 13mLow On-resistance Fast Switching Characteristic ID 75AGSDESCRIPTION The Advanced Power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiven

 7.1. Size:287K  silicon standard
 ssm85t03gh ssm85t03gj.pdf

SSM85T08GP SSM85T08GP

SSM85T03GH,JN-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BVDSS 30VDSimple drive requirement R 6mDS(ON) Fast switching ID 75AGPb-free; RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM85T03GH is in a TO-252 package, which is widely used for DSTO-252 (H)commercial and industrial surface mount applications, and is well suitedfor low voltage applications such as DC/DC

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SWD046R68E8T

 

 
Back to Top