SSM90T03GP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM90T03GP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1010 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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SSM90T03GP Datasheet (PDF)

..1. Size:289K silicon standard
ssm90t03gp ssm90t03gs.pdf

SSM90T03GP,SN-channel Enhancement-mode Power MOSFET Low gate-charge BVDSS 30VDSimple drive requirement RDS(ON) 4mFast switching I 75AD GPb-free, RoHS compliant.SDESCRIPTIONGDThe SSM90T03GS is in a TO-263 package, which is widely used forSTO-263 (S)commercial and industrial surface mount applications. This device is suitable for low voltage applications such

5.1. Size:287K silicon standard
ssm90t03gh ssm90t03gj.pdf

SSM90T03GH,JN-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BVDSS 30VDSimple drive requirement R 4mDS(ON)Fast switching ID 75AGPb-free; RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM90T03GH is in a TO-252 package, which is widely used for DSTO-252 (H)commercial and industrial surface mount applications, and is well suitedfor low voltage applications such as DC/DC

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Liste

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