SSM90T03GP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM90T03GP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 83 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1010 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM90T03GP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM90T03GP даташит

 ..1. Size:289K  silicon standard
 ssm90t03gp ssm90t03gs.pdf pdf_icon

SSM90T03GP

SSM90T03GP,S N-channel Enhancement-mode Power MOSFET Low gate-charge BVDSS 30V D Simple drive requirement RDS(ON) 4m Fast switching I 75A D G Pb-free, RoHS compliant. S DESCRIPTION G D The SSM90T03GS is in a TO-263 package, which is widely used for S TO-263 (S) commercial and industrial surface mount applications. This device is suitable for low voltage applications such

 5.1. Size:287K  silicon standard
 ssm90t03gh ssm90t03gj.pdf pdf_icon

SSM90T03GP

SSM90T03GH,J N-channel Enhancement-mode Power MOSFET Low gate-charge BVDSS 30V D Simple drive requirement R 4m DS(ON) Fast switching ID 75A G Pb-free; RoHS compliant. S DESCRIPTION G The SSM90T03GH is in a TO-252 package, which is widely used for D S TO-252 (H) commercial and industrial surface mount applications, and is well suited for low voltage applications such as DC/DC

Другие IGBT... SSM75T10GP, SSM75T10GS, SSM7811GM, SSM85T03GH, SSM85T03GJ, SSM85T08GP, SSM90T03GH, SSM90T03GJ, 13N50, SSM90T03GS, SSM9406GM, SSM9408GH, SSM9410GM, SSM9435GH, SSM9435GJ, SSM9435GM, SSM9435K