SSM90T03GS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM90T03GS  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1010 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO-263

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SSM90T03GS datasheet

 ..1. Size:289K  silicon standard
 ssm90t03gp ssm90t03gs.pdf pdf_icon

SSM90T03GS

SSM90T03GP,S N-channel Enhancement-mode Power MOSFET Low gate-charge BVDSS 30V D Simple drive requirement RDS(ON) 4m Fast switching I 75A D G Pb-free, RoHS compliant. S DESCRIPTION G D The SSM90T03GS is in a TO-263 package, which is widely used for S TO-263 (S) commercial and industrial surface mount applications. This device is suitable for low voltage applications such

 5.1. Size:287K  silicon standard
 ssm90t03gh ssm90t03gj.pdf pdf_icon

SSM90T03GS

SSM90T03GH,J N-channel Enhancement-mode Power MOSFET Low gate-charge BVDSS 30V D Simple drive requirement R 4m DS(ON) Fast switching ID 75A G Pb-free; RoHS compliant. S DESCRIPTION G The SSM90T03GH is in a TO-252 package, which is widely used for D S TO-252 (H) commercial and industrial surface mount applications, and is well suited for low voltage applications such as DC/DC

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