Справочник MOSFET. SSM90T03GS

 

SSM90T03GS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM90T03GS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 83 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1010 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM90T03GS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  silicon standard
 ssm90t03gp ssm90t03gs.pdf pdf_icon

SSM90T03GS

SSM90T03GP,SN-channel Enhancement-mode Power MOSFET Low gate-charge BVDSS 30VDSimple drive requirement RDS(ON) 4mFast switching I 75AD GPb-free, RoHS compliant.SDESCRIPTIONGDThe SSM90T03GS is in a TO-263 package, which is widely used forSTO-263 (S)commercial and industrial surface mount applications. This device is suitable for low voltage applications such

 5.1. Size:287K  silicon standard
 ssm90t03gh ssm90t03gj.pdf pdf_icon

SSM90T03GS

SSM90T03GH,JN-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BVDSS 30VDSimple drive requirement R 4mDS(ON)Fast switching ID 75AGPb-free; RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM90T03GH is in a TO-252 package, which is widely used for DSTO-252 (H)commercial and industrial surface mount applications, and is well suitedfor low voltage applications such as DC/DC

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.