SSM9685M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSM9685M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 19 nC
Tiempo de subida (tr): 6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 135 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSM9685M
SSM9685M Datasheet (PDF)
ssm9685m.pdf
SSM9685MN-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETSimple drive requirement BV 80VDSSDDLower gate charge R 45mDS(ON)DDFast switching characteristics ID 5.3AGSSSO-8SDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide thedesigner with the best combination of fast switching, ruggedizeddevice design, low on-resistance and cost-effectiveness.GS
ssm9620m.pdf
SSM9620MP-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS -20VDDCapable of 2.5V drive D R 20mDS(ON)DFast switching ID -9.5AGSimple drive requirement SSSO-8SDescriptionDPower MOSFETs from Silicon Standard provide thedesigner with the best combination of fast switching,Gruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.ST
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