SSM9685M Todos los transistores

 

SSM9685M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM9685M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SSM9685M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  silicon standard
 ssm9685m.pdf pdf_icon

SSM9685M

SSM9685MN-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETSimple drive requirement BV 80VDSSDDLower gate charge R 45mDS(ON)DDFast switching characteristics ID 5.3AGSSSO-8SDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide thedesigner with the best combination of fast switching, ruggedizeddevice design, low on-resistance and cost-effectiveness.GS

 9.1. Size:144K  silicon standard
 ssm9620m.pdf pdf_icon

SSM9685M

SSM9620MP-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS -20VDDCapable of 2.5V drive D R 20mDS(ON)DFast switching ID -9.5AGSimple drive requirement SSSO-8SDescriptionDPower MOSFETs from Silicon Standard provide thedesigner with the best combination of fast switching,Gruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.ST

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History: IRFR210

 

 
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