SSR1N45 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSR1N45
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm
Paquete / Cubierta: D-PAK
Búsqueda de reemplazo de SSR1N45 MOSFET
SSR1N45 Datasheet (PDF)
ssr1n60b ssr1n60btm ssu1n60b.pdf

November 2001SSR1N60B / SSU1N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.9A, 600V, RDS(on) = 12 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF)This advanced technology has been especially tailored to
Otros transistores... SSM9987GM , SSN1N45BBU , SSN1N45BTA , SSP3N90 , SSP45N20B , SSP4N60B , SSP4N80 , SSP5N90 , IRF3710 , SSR1N60B , SSR1N60BTM , SSR2N60B , SSRK7002LT1G , SSS4N60B , SSSF11NS65UF , SST174 , SST175 .
History: IPD036N04L | MDF6N65BTH | PK8A6EA | AM3456NE | NCEP045N85 | NDP6020P | 2N4856A
History: IPD036N04L | MDF6N65BTH | PK8A6EA | AM3456NE | NCEP045N85 | NDP6020P | 2N4856A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350