SSR1N60B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSR1N60B  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm

Encapsulados: D-PAK

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SSR1N60B datasheet

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SSR1N60B

November 2001 SSR1N60B / SSU1N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.9A, 600V, RDS(on) = 12 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF) This advanced technology has been especially tailored to

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SSR1N60B

 7.2. Size:502K  samsung
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SSR1N60B

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 600 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 12 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 0.9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 600V Low RDS(ON) 9.390 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Charact

 9.1. Size:197K  1
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SSR1N60B

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