Справочник MOSFET. SSR1N60B

 

SSR1N60B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSR1N60B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.9 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 5.9 nC
   Время нарастания (tr): 45 ns
   Выходная емкость (Cd): 18 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 12 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK

 Аналог (замена) для SSR1N60B

 

 

SSR1N60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:678K  fairchild semi
 ssr1n60b ssr1n60btm ssu1n60b.pdf

SSR1N60B SSR1N60B

November 2001SSR1N60B / SSU1N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.9A, 600V, RDS(on) = 12 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 7.1. Size:196K  1
 ssu1n60a ssr1n60a.pdf

SSR1N60B SSR1N60B

 7.2. Size:502K  samsung
 ssr1n60a.pdf

SSR1N60B SSR1N60B

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 600 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 12 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 0.9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V Low RDS(ON) : 9.390 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charact

 9.1. Size:197K  1
 ssu1n50a ssr1n50a.pdf

SSR1N60B SSR1N60B

 9.2. Size:104K  samsung
 ssr1n45 ssu1n45.pdf

SSR1N60B SSR1N60B

 9.3. Size:504K  samsung
 ssr1n50a.pdf

SSR1N60B SSR1N60B

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 5.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 1.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) : 4.046 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Char

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top