SST175 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SST175
   Código: P05_S5_S75
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.07 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 135 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SST175

SST175 Datasheet (PDF)

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j174 j175 j176 j177 sst174 sst175 sst176 sst177.pdf

J/SST174/175/176/177 SeriesVishay SiliconixP-Channel JFETsJ174 SST174J175 SST175J176 SST176J177 SST177PRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns)J/SST174 5 to 10 85 10 25J/SST175 3 to 6 125 10 25J/SST176 1 to 4 250 10 25J/SST177 0.8 to 2.25 300 10 25FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: J174

..2. Size:24K calogic
sst174 sst175 sst176 sst177.pdf

P-Channel JFET SwitchLLCJ174 J177 / SST174 SST177FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise specified)A Low Insertion Loss No Offset or Error Generated By Closed Switch Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . 30VPurely Resistive Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: