SST175 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SST175
Тип транзистора: JFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.07 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 135 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 125 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SST175 Datasheet (PDF)
j174 j175 j176 j177 sst174 sst175 sst176 sst177.pdf

J/SST174/175/176/177 SeriesVishay SiliconixP-Channel JFETsJ174 SST174J175 SST175J176 SST176J177 SST177PRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns)J/SST174 5 to 10 85 10 25J/SST175 3 to 6 125 10 25J/SST176 1 to 4 250 10 25J/SST177 0.8 to 2.25 300 10 25FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: J174
sst174 sst175 sst176 sst177.pdf

P-Channel JFET SwitchLLCJ174 J177 / SST174 SST177FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise specified)A Low Insertion Loss No Offset or Error Generated By Closed Switch Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . 30VPurely Resistive Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
Другие MOSFET... SSR1N45 , SSR1N60B , SSR1N60BTM , SSR2N60B , SSRK7002LT1G , SSS4N60B , SSSF11NS65UF , SST174 , STP75NF75 , SST176 , SST177 , SST4391 , SST4392 , SST4393 , SST440 , SST441 , SST4416 .
History: DMN3052LSS | FHF630A
History: DMN3052LSS | FHF630A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220