SST175 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SST175 📄📄
Тип транзистора: JFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.07 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 135 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 125 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SST175
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SST175 даташит
j174 j175 j176 j177 sst174 sst175 sst176 sst177.pdf
J/SST174/175/176/177 Series Vishay Siliconix P-Channel JFETs J174 SST174 J175 SST175 J176 SST176 J177 SST177 PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns) J/SST174 5 to 10 85 10 25 J/SST175 3 to 6 125 10 25 J/SST176 1 to 4 250 10 25 J/SST177 0.8 to 2.25 300 10 25 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low On-Resistance J174
sst174 sst175 sst176 sst177.pdf
P-Channel JFET Switch LLC J174 J177 / SST174 SST177 FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25oC unless otherwise specified) A Low Insertion Loss No Offset or Error Generated By Closed Switch Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Purely Resistive Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
Другие IGBT... SSR1N45, SSR1N60B, SSR1N60BTM, SSR2N60B, SSRK7002LT1G, SSS4N60B, SSSF11NS65UF, SST174, 8205A, SST176, SST177, SST4391, SST4392, SST4393, SST440, SST441, SST4416
History: CXDM4060P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220


