SSTSD201 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSTSD201
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 70 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-143
Búsqueda de reemplazo de SSTSD201 MOSFET
SSTSD201 Datasheet (PDF)
sd200dc sd201dc sd202dc sd203dc sstsd201 sstsd203.pdf

High-Speed AnalogN-Channel Enhancement-ModeLLCDMOS FETSSD200 / SD201 / SD202 / SD203 / SSTSD201 / SSTSD203FEATURES DESCRIPTION High gain . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.0 dB min @ 1 GHz The SD200 series is manufactured utilizing Calogics Low Noise. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0 dB max @ 1 GHz proprietary DMOS design and processing techniques
Otros transistores... SST176 , SST177 , SST4391 , SST4392 , SST4393 , SST440 , SST441 , SST4416 , IRF1010E , SSTSD203 , SSU1N45 , SSU1N60B , SSU2N60B , SSW2N60B , SSW4N60B , AF15N50 , AFC1016 .
History: 10N60G-TF3T-T | CEP04N6 | SWK200R10VT | SH8K25 | NTB65N02R
History: 10N60G-TF3T-T | CEP04N6 | SWK200R10VT | SH8K25 | NTB65N02R



Liste
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