SSU1N45 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSU1N45  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm

Encapsulados: I-PAK

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SSU1N45 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SSU1N45 datasheet

 ..1. Size:104K  samsung
 ssr1n45 ssu1n45.pdf pdf_icon

SSU1N45

 9.1. Size:197K  1
 ssu1n50a ssr1n50a.pdf pdf_icon

SSU1N45

 9.2. Size:196K  1
 ssu1n60a ssr1n60a.pdf pdf_icon

SSU1N45

 9.3. Size:688K  fairchild semi
 ssu1n50b.pdf pdf_icon

SSU1N45

April 2014 SSU1N50B 520V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.3A, 520V, RDS(on) = 5.3 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low Gate Charge (Typ. 8.3 nC) planar, DMOS technology. Low Crss (Typ. 5.5 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast Switching

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SST4391, SST4392, SST4393, SST440, SST441, SST4416, SSTSD201, SSTSD203, IRLB4132, SSU1N60B, SSU2N60B, SSW2N60B, SSW4N60B, AF15N50, AFC1016, AFC1539, AFC1563