AFC1539 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AFC1539
   Código: 39*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AFC1539

AFC1539 Datasheet (PDF)

..1. Size:1025K alfa-mos
afc1539.pdf

AFC1539 Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1539, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/0.7A,RDS(ON)=900m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.6A,RDS(ON)=1000m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power ma

9.1. Size:1101K alfa-mos
afc1563.pdf

AFC1563 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1563, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.0A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.8A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.7A,RDS(ON)=580m@VGS=

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Liste

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