AFC1539 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFC1539  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFC1539

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFC1539 даташит

 ..1. Size:1025K  alfa-mos
afc1539.pdfpdf_icon

AFC1539

AFC1539 Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1539, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/0.7A,RDS(ON)=900m @VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.6A,RDS(ON)=1000m @VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power ma

 9.1. Size:1101K  alfa-mos
afc1563.pdfpdf_icon

AFC1539

AFC1563 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1563, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.0A,RDS(ON)=280m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.8A,RDS(ON)=340m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.7A,RDS(ON)=580m @VGS=

Другие IGBT... SSTSD203, SSU1N45, SSU1N60B, SSU2N60B, SSW2N60B, SSW4N60B, AF15N50, AFC1016, K4145, AFC1563, AFC2519W, AFC3326WS, AFC3346W, AFC3366W, AFC4510S, AFC4516, AFC4516W