Справочник MOSFET. AFC1539

 

AFC1539 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFC1539
   Маркировка: 39*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 0.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для AFC1539

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFC1539 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1025K  alfa-mos
 afc1539.pdf pdf_icon

AFC1539

AFC1539 Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1539, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/0.7A,RDS(ON)=900m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.6A,RDS(ON)=1000m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power ma

 9.1. Size:1101K  alfa-mos
 afc1563.pdf pdf_icon

AFC1539

AFC1563 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1563, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.0A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.8A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.7A,RDS(ON)=580m@VGS=

Другие MOSFET... SSTSD203 , SSU1N45 , SSU1N60B , SSU2N60B , SSW2N60B , SSW4N60B , AF15N50 , AFC1016 , IRFB3607 , AFC1563 , AFC2519W , AFC3326WS , AFC3346W , AFC3366W , AFC4510S , AFC4516 , AFC4516W .

History: NCE70N290T | STD26P3LLH6

 

 
Back to Top

 


 
.