AFC3346W Todos los transistores

 

AFC3346W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFC3346W
   Código: 3346W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L
     - Selección de transistores por parámetros

 

AFC3346W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1000K  alfa-mos
 afc3346w.pdf pdf_icon

AFC3346W

AFC3346W Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC3346W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)= 28m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/12A,RDS(ON)= 38m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power manag

 9.1. Size:935K  alfa-mos
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AFC3346W

AFC3366W Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC3366W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/12A,RDS(ON)=48m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/10A,RDS(ON)=54m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power managem

 9.2. Size:898K  alfa-mos
 afc3326ws.pdf pdf_icon

AFC3346W

AFC3326WS Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC3326WS, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/12A,RDS(ON)=36m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/10A,RDS(ON)=46m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power manag

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