AFC3346W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AFC3346W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3-8L
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AFC3346W Datasheet (PDF)
afc3346w.pdf

AFC3346W Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC3346W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)= 28m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/12A,RDS(ON)= 38m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power manag
afc3366w.pdf

AFC3366W Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC3366W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/12A,RDS(ON)=48m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/10A,RDS(ON)=54m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power managem
afc3326ws.pdf

AFC3326WS Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC3326WS, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/12A,RDS(ON)=36m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/10A,RDS(ON)=46m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power manag
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: WMK18N70EM | CJL2016 | 4N70KG-TF3-T | IRF6619 | NP55N055SUG | IPB011N04L | 2SJ583LS
History: WMK18N70EM | CJL2016 | 4N70KG-TF3-T | IRF6619 | NP55N055SUG | IPB011N04L | 2SJ583LS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent