AFC6602 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AFC6602
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AFC6602

AFC6602 Datasheet (PDF)

..1. Size:1077K alfa-mos
afc6602.pdf

AFC6602 Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC6602, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/3.5A,RDS(ON)=75m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.6A,RDS(ON)=100m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power m

8.1. Size:1078K alfa-mos
afc6601.pdf

AFC6601 Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC6601, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/3.4A,RDS(ON)=68m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/3.0A,RDS(ON)=74m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low 30V/2.0A,RDS(ON)=90m@VGS=2

8.2. Size:1036K alfa-mos
afc6604.pdf

AFC6604 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC6604, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.5A,RDS(ON)=58m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.6A,RDS(ON)=68m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power m

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: