AFN02N60T220T Todos los transistores

 

AFN02N60T220T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFN02N60T220T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tiempo de subida (tr): 23.4 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 35.7 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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AFN02N60T220T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:756K  alfa-mos
afn02n60t220ft afn02n60t220t afn02n60t251t.pdf

AFN02N60T220T AFN02N60T220T

AFN02N60 Alfa-MOS 600V / 2A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN02N60 is an N-channel enhancement mode Power 600V/1A,RDS(ON)=4.2(MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-state

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK2849S

 

 
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AFN02N60T220T
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