AFN04N60T251T Todos los transistores

 

AFN04N60T251T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFN04N60T251T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
     - Selección de transistores por parámetros

 

AFN04N60T251T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:758K  alfa-mos
 afn04n60t220ft afn04n60t220t afn04n60t251t.pdf pdf_icon

AFN04N60T251T

AFN04N60 Alfa-MOS 600V / 4A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN04N60 is an N-channel enhancement mode Power 600V/2A,RDS(ON)=2.4(MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-state

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History: 2SK2359-Z | IRF624A | IXFR48N60Q3 | IXFN64N60P | AOTF780A70L | DMC2041UFDB | SMP40N10

 

 
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