AFN06N60T251T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AFN06N60T251T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 13.32 nC
Tiempo de subida (tr): 42.67 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 83.6 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AFN06N60T251T
AFN06N60T251T Datasheet (PDF)
..1. Size:528K alfa-mos
afn06n60t220ft afn06n60t251t.pdf
afn06n60t220ft afn06n60t251t.pdf
AFN06N60 Alfa-MOS 600V / 6A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN06N60 is an N-channel enhancement mode Power 600V/3A,RDS(ON)=1.5(MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-state
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