AFN08N50T220FT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AFN08N50T220FT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 14.7 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 59.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AFN08N50T220FT
AFN08N50T220FT Datasheet (PDF)
afn08n50t220ft afn08n50t220t.pdf
AFN08N50 Alfa-MOS 500V / 8A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN08N50 is an N-channel enhancement mode Power 500V/4A,RDS(ON)=0.9(MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-state
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History: SE6020DB | ME4954 | FCPF190N60 | SML10J225 | FCP16N60
History: SE6020DB | ME4954 | FCPF190N60 | SML10J225 | FCP16N60
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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