AFN08N50T220FT Todos los transistores

 

AFN08N50T220FT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFN08N50T220FT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 49 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 14.7 nC
   Tiempo de subida (tr): 59.6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

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AFN08N50T220FT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  alfa-mos
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AFN08N50 Alfa-MOS 500V / 8A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN08N50 is an N-channel enhancement mode Power 500V/4A,RDS(ON)=0.9(MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-state

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