AFN12N60T220FT Todos los transistores

 

AFN12N60T220FT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFN12N60T220FT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 71.67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 413 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

AFN12N60T220FT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  alfa-mos
 afn12n60t220ft afn12n60t220t.pdf pdf_icon

AFN12N60T220FT

AFN12N60 Alfa-MOS 600V / 12A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN12N60 is an N-channel enhancement mode Power 600V/6A,RDS(ON)=0.75(MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-sta

 7.1. Size:568K  alfa-mos
 afn12n65t220ft afn12n65t220t.pdf pdf_icon

AFN12N60T220FT

AFN12N65 Alfa-MOS 650V / 12A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN12N65 is an N-channel enhancement mode Power 650V/6A,RDS(ON)=0.8(MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-stat

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History: SVS11N60TD2 | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | IRF3710ZSPBF | WFY3N02 | APT904R2AN | FTK4953

 

 
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