AFN12N60T220FT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AFN12N60T220FT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 51 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 71.67 ns
Выходная емкость (Cd): 413 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для AFN12N60T220FT
AFN12N60T220FT Datasheet (PDF)
afn12n60t220ft afn12n60t220t.pdf
AFN12N60 Alfa-MOS 600V / 12A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN12N60 is an N-channel enhancement mode Power 600V/6A,RDS(ON)=0.75(MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-sta
afn12n65t220ft afn12n65t220t.pdf
AFN12N65 Alfa-MOS 650V / 12A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN12N65 is an N-channel enhancement mode Power 650V/6A,RDS(ON)=0.8(MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-stat
Другие MOSFET... AFN1024E , AFN1032 , AFN1034 , AFN1072 , AFN10N60T220FT , AFN10N60T220T , AFN10N65T220FT , AFN10N65T220T , HY1707I , AFN12N60T220T , AFN12N65T220FT , AFN12N65T220T , AFN1304 , AFN1304E , AFN1306 , AFN1330S , AFN1443 .
History: 6N90AF | WMK18N70EM
