AFN12N60T220FT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN12N60T220FT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 71.67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 413 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN12N60T220FT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN12N60T220FT даташит

 ..1. Size:461K  alfa-mos
 afn12n60t220ft afn12n60t220t.pdf pdf_icon

AFN12N60T220FT

AFN12N60 Alfa-MOS 600V / 12A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN12N60 is an N-channel enhancement mode Power 600V/6A,RDS(ON)=0.75 (MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-sta

 7.1. Size:568K  alfa-mos
 afn12n65t220ft afn12n65t220t.pdf pdf_icon

AFN12N60T220FT

AFN12N65 Alfa-MOS 650V / 12A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN12N65 is an N-channel enhancement mode Power 650V/6A,RDS(ON)=0.8 (MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-stat

Другие IGBT... AFN1024E, AFN1032, AFN1034, AFN1072, AFN10N60T220FT, AFN10N60T220T, AFN10N65T220FT, AFN10N65T220T, IRF9640, AFN12N60T220T, AFN12N65T220FT, AFN12N65T220T, AFN1304, AFN1304E, AFN1306, AFN1330S, AFN1443