AFN1912E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFN1912E  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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AFN1912E datasheet

 ..1. Size:594K  alfa-mos
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AFN1912E

AFN1912E Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1912E, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A,RDS(ON)=280m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.5A,RDS(ON)=340m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A,RDS(ON)=580m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low

 7.1. Size:597K  alfa-mos
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AFN1912E

AFN1912 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1912, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A,RDS(ON)=280m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.5A,RDS(ON)=340m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A,RDS(ON)=580m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low L

 9.1. Size:571K  alfa-mos
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AFN1912E

AFN1932 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1932, N-Channel enhancement mode 30V/1.5A,RDS(ON)=430m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/1.2A,RDS(ON)=580m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.6A,RDS(ON)=860m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low L

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