AFN1912E datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AFN1912E 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AFN1912E
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AFN1912E даташит
afn1912e.pdf
AFN1912E Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1912E, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A,RDS(ON)=280m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.5A,RDS(ON)=340m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A,RDS(ON)=580m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low
afn1912.pdf
AFN1912 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1912, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A,RDS(ON)=280m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.5A,RDS(ON)=340m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A,RDS(ON)=580m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low L
afn1932.pdf
AFN1932 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1932, N-Channel enhancement mode 30V/1.5A,RDS(ON)=430m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/1.2A,RDS(ON)=580m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.6A,RDS(ON)=860m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low L
Другие IGBT... AFN1306, AFN1330S, AFN1443, AFN1501S, AFN1510S, AFN1520, AFN1530, AFN1912, IRF3205, AFN1932, AFN2014, AFN2302AS, AFN2302S, AFN2304, AFN2304A, AFN2304AS, AFN2304S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c



