IRLS520A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLS520A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRLS520A datasheet

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IRLS520A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Logic Level Gate Drive RDS(on) = 0.22 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 7.2 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.176 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum

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IRLS520A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Logic Level Gate Drive RDS(on) = 0.12 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 10.7 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.101 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings

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IRLS520A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Logic Level Gate Drive RDS(on) = 0.44 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 4.5 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.336 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratin

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IRLS520A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Logic Level Gate Drive RDS(on) = 0.058 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 17 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.046 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Rating

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