IRLS630A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLS630A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 18.6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de IRLS630A MOSFET
IRLS630A Datasheet (PDF)
irls630a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.4 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 6.5 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) : 0.335 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ratin
irls640a.pdf

IRLS640AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Logic-Level Gate DriveRDS(on) = 0.18 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 9.8 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeTO-220F Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) : 0.145 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute M
irls640a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.18 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 9.8 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) : 0.145 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Rati
irls620a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.8 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 4.1 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) : 0.609 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ratings
Otros transistores... IRLR3303 , IRLR3410 , IRLS510A , IRLS520A , IRLS530A , IRLS540A , IRLS610A , IRLS620A , RU6888R , IRLS640A , IRLSZ14A , IRLSZ24A , IRLSZ34A , IRLSZ44A , IRLU010 , IRLU014 , IRLU014A .



Liste
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