AFN4634WS Todos los transistores

 

AFN4634WS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFN4634WS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8P
 

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AFN4634WS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:578K  alfa-mos
 afn4634ws.pdf pdf_icon

AFN4634WS

AFN4634WS Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4634WS, N-Channel enhancement mode 30V/18A,RDS(ON)=5.8m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/15A,RDS(ON)=7.2m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

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History: GP2M002A060XG | SI7682DP

 

 
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