AFN501DEA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AFN501DEA
   Código: 501DEX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.1 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 700 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AFN501DEA

AFN501DEA Datasheet (PDF)

..1. Size:523K alfa-mos
afn501dea.pdf

AFN501DEA Alfa-MOS 600V N-Channel Technology Depletion Mode Power MOSFET General Description Features AFN501DEA is an N-channel depletion-mode 600V/16mA,RDS(ON)=700@VGS=10V Power MOSEFT which is produced using 600V/3mA,RDS(ON)=700@VGS=4.5V VDMOS technology. The improved planar stripe Depletion-mode ( Normally-on) cell have been especially tailored to minimize

9.1. Size:749K alfa-mos
afn5004s.pdf

AFN5004S Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5004S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 5.5m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/15A,RDS(ON)= 6.5m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

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History: TMPF18N20Z

Liste

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