AFN501DEA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFN501DEA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.1 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 700 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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AFN501DEA datasheet

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AFN501DEA

AFN501DEA Alfa-MOS 600V N-Channel Technology Depletion Mode Power MOSFET General Description Features AFN501DEA is an N-channel depletion-mode 600V/16mA,RDS(ON)=700 @VGS=10V Power MOSEFT which is produced using 600V/3mA,RDS(ON)=700 @VGS=4.5V VDMOS technology. The improved planar stripe Depletion-mode ( Normally-on) cell have been especially tailored to minimize

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AFN501DEA

AFN5004S Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5004S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 5.5m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/15A,RDS(ON)= 6.5m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

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