AFN5808W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFN5808W  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: DFN2X5

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AFN5808W datasheet

 ..1. Size:597K  alfa-mos
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AFN5808W

AFN5808W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5808W, N-Channel enhancement mode 20V/6.2A,RDS(ON)=32m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.6A,RDS(ON)=38m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.8A,RDS(ON)=50m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

 8.1. Size:598K  alfa-mos
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AFN5808W

AFN5800 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5800, N-Channel enhancement mode 20V/7.0A,RDS(ON)=23m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/6.0A,RDS(ON)=25m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/4.5A,RDS(ON)=28m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

 8.2. Size:599K  alfa-mos
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AFN5808W

AFN5800W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5800W, N-Channel enhancement mode 20V/8.0A,RDS(ON)=19m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/7.0A,RDS(ON)=20m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/6.0A,RDS(ON)=24m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V

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