AFN5904W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AFN5904W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X2
Búsqueda de reemplazo de AFN5904W MOSFET
AFN5904W Datasheet (PDF)
afn5904w.pdf
AFN5904W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5904W, N-Channel enhancement mode 20V/4.5A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.6A,RDS(ON)=60m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=78m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su
afn5908w.pdf
AFN5908W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5908W, N-Channel enhancement mode 20V/6.2A,RDS(ON)=30m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.6A,RDS(ON)=35m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.8A,RDS(ON)=45m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su
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History: ZXMN6A07Z
History: ZXMN6A07Z
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