AFN5904W Todos los transistores

 

AFN5904W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFN5904W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X2
 

 Búsqueda de reemplazo de AFN5904W MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AFN5904W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:727K  alfa-mos
 afn5904w.pdf pdf_icon

AFN5904W

AFN5904W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5904W, N-Channel enhancement mode 20V/4.5A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.6A,RDS(ON)=60m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=78m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

 8.1. Size:710K  alfa-mos
 afn5908w.pdf pdf_icon

AFN5904W

AFN5908W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5908W, N-Channel enhancement mode 20V/6.2A,RDS(ON)=30m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.6A,RDS(ON)=35m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.8A,RDS(ON)=45m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

Otros transistores... AFN4997 , AFN4998 , AFN4998W , AFN5004S , AFN501DEA , AFN5800 , AFN5800W , AFN5808W , IRFP250N , AFN5908W , AFN6011S , AFN6018S , AFN6202S , AFN6424S , AFN6520S , AFN6530S , AFN6561 .

History: 8N60KG-TF3-T | PMR370XN | WFF840B | GSM1443 | SMIRF8N60T2TL | 2SK3140

 

 
Back to Top

 


 
.