AFN5904W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFN5904W  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: DFN3X2

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AFN5904W datasheet

 ..1. Size:727K  alfa-mos
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AFN5904W

AFN5904W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5904W, N-Channel enhancement mode 20V/4.5A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.6A,RDS(ON)=60m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=78m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

 8.1. Size:710K  alfa-mos
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AFN5904W

AFN5908W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5908W, N-Channel enhancement mode 20V/6.2A,RDS(ON)=30m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.6A,RDS(ON)=35m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.8A,RDS(ON)=45m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

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