AFN6018S Todos los transistores

 

AFN6018S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFN6018S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de AFN6018S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AFN6018S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:560K  alfa-mos
 afn6018s.pdf pdf_icon

AFN6018S

AFN6018S Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6018S, N-Channel enhancement mode 60V/25A,RDS(ON)= 17m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/15A,RDS(ON)= 37m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for

 8.1. Size:551K  alfa-mos
 afn6011s.pdf pdf_icon

AFN6018S

AFN6011S Alfa-MOS 65V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6011S, N-Channel enhancement mode 65V/40A, RDS(on)= 7.8m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 65V/20A, RDS(on)=10m@VGS=6.0V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited fo

Otros transistores... AFN5004S , AFN501DEA , AFN5800 , AFN5800W , AFN5808W , AFN5904W , AFN5908W , AFN6011S , 2N7000 , AFN6202S , AFN6424S , AFN6520S , AFN6530S , AFN6561 , AFN6562 , AFN6820 , AFN6830 .

History: SPB16N50C3 | 2P7154VC

 

 
Back to Top

 


 
.