AFP1013 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFP1013  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.62 Ohm

Encapsulados: SOT-523

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AFP1013 datasheet

 ..1. Size:574K  alfa-mos
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AFP1013

AFP1013 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1013, P-Channel enhancement mode -20V/-0.6A, RDS(ON)= 620 m @ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.5A, RDS(ON)= 860 m @ VGS =-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.4A, RDS(ON)= 1450 m @ VGS =-1.8V These devices are particu

 9.1. Size:546K  alfa-mos
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AFP1013

AFP1033 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1033, P-Channel enhancement mode -30V/-0.6A, RDS(ON)= 750 m @ VGS =-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-0.3A, RDS(ON)= 950 m @ VGS =-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for

 9.2. Size:661K  alfa-mos
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AFP1013

AFP1073 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1073, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A, RDS(ON)= 620 m @ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.35A, RDS(ON)= 860 m @ VGS =-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A, RDS(ON)= 1450 m @ VGS =-1.8V These devices are part

 9.3. Size:598K  alfa-mos
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AFP1013

AFP1023 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1023, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A, RDS(ON)= 620 m @ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.35A, RDS(ON)= 860 m @ VGS =-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A, RDS(ON)= 1450 m @ VGS =-1.8V These devices are part

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