AFP1013 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP1013  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm

Тип корпуса: SOT-523

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP1013

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP1013 даташит

 ..1. Size:574K  alfa-mos
 afp1013.pdf pdf_icon

AFP1013

AFP1013 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1013, P-Channel enhancement mode -20V/-0.6A, RDS(ON)= 620 m @ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.5A, RDS(ON)= 860 m @ VGS =-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.4A, RDS(ON)= 1450 m @ VGS =-1.8V These devices are particu

 9.1. Size:546K  alfa-mos
 afp1033.pdf pdf_icon

AFP1013

AFP1033 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1033, P-Channel enhancement mode -30V/-0.6A, RDS(ON)= 750 m @ VGS =-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-0.3A, RDS(ON)= 950 m @ VGS =-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for

 9.2. Size:661K  alfa-mos
 afp1073.pdf pdf_icon

AFP1013

AFP1073 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1073, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A, RDS(ON)= 620 m @ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.35A, RDS(ON)= 860 m @ VGS =-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A, RDS(ON)= 1450 m @ VGS =-1.8V These devices are part

 9.3. Size:598K  alfa-mos
 afp1023.pdf pdf_icon

AFP1013

AFP1023 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1023, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A, RDS(ON)= 620 m @ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.35A, RDS(ON)= 860 m @ VGS =-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A, RDS(ON)= 1450 m @ VGS =-1.8V These devices are part

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN9910, AFN9971, AFN9971B, AFN9972S, AFN9977, AFN9987, AFN9995S, AFN9997, 8N60, AFP1023, AFP1033, AFP1073, AFP1303, AFP1413, AFP1433, AFP1810, AFP1913