Справочник MOSFET. AFP1013

 

AFP1013 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFP1013
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm
   Тип корпуса: SOT-523
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP1013 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  alfa-mos
afp1013.pdfpdf_icon

AFP1013

AFP1013 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1013, P-Channel enhancement mode -20V/-0.6A, RDS(ON)= 620 m@ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.5A, RDS(ON)= 860 m@ VGS =-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.4A, RDS(ON)= 1450 m@ VGS =-1.8V These devices are particu

 9.1. Size:546K  alfa-mos
afp1033.pdfpdf_icon

AFP1013

AFP1033 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1033, P-Channel enhancement mode -30V/-0.6A, RDS(ON)= 750 m@ VGS =-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-0.3A, RDS(ON)= 950 m@ VGS =-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for

 9.2. Size:661K  alfa-mos
afp1073.pdfpdf_icon

AFP1013

AFP1073 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1073, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A, RDS(ON)= 620 m@ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.35A, RDS(ON)= 860 m@ VGS =-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A, RDS(ON)= 1450 m@ VGS =-1.8V These devices are part

 9.3. Size:598K  alfa-mos
afp1023.pdfpdf_icon

AFP1013

AFP1023 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1023, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A, RDS(ON)= 620 m@ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.35A, RDS(ON)= 860 m@ VGS =-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A, RDS(ON)= 1450 m@ VGS =-1.8V These devices are part

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SL80N10 | JCS730BC | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | FTK3439KD

 

 
Back to Top

 


 
.