AFP1023 Todos los transistores

 

AFP1023 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFP1023
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.62 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-563
 

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AFP1023 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:598K  alfa-mos
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AFP1023

AFP1023 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1023, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A, RDS(ON)= 620 m@ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.35A, RDS(ON)= 860 m@ VGS =-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A, RDS(ON)= 1450 m@ VGS =-1.8V These devices are part

 9.1. Size:574K  alfa-mos
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AFP1023

AFP1013 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1013, P-Channel enhancement mode -20V/-0.6A, RDS(ON)= 620 m@ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.5A, RDS(ON)= 860 m@ VGS =-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.4A, RDS(ON)= 1450 m@ VGS =-1.8V These devices are particu

 9.2. Size:546K  alfa-mos
 afp1033.pdf pdf_icon

AFP1023

AFP1033 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1033, P-Channel enhancement mode -30V/-0.6A, RDS(ON)= 750 m@ VGS =-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-0.3A, RDS(ON)= 950 m@ VGS =-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for

 9.3. Size:661K  alfa-mos
 afp1073.pdf pdf_icon

AFP1023

AFP1073 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1073, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A, RDS(ON)= 620 m@ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.35A, RDS(ON)= 860 m@ VGS =-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A, RDS(ON)= 1450 m@ VGS =-1.8V These devices are part

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History: AFN1912 | 2SK2601 | HM2P10R | HM6401 | DMN4034SSS | HM1P15PR | DH300N08F

 

 
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